Si-MOSFET ?Si-IGBT ?GaN-MOSFET?SiC-MOSFET的電壓?頻率?功率之間的比較如下圖所示:

GaN ?SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基

SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域?

根據(jù)功率?頻率2個(gè)維度我們梳理主流功率器件物理特性及適用場合:

Si-IGBT雖然在高壓領(lǐng)域具有優(yōu)勢,但是并不能勝任高頻領(lǐng)域需求;

Si-MOSFET可以勝任高頻領(lǐng)域,但是對于電壓有一定的限制;

SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)這一難題,基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點(diǎn)成為電動(dòng)汽車,充電樁和光伏逆變器(不考慮成本的話)的最優(yōu)方案;

GaN-MOSFET由于具有超高頻率性能,在5G射頻領(lǐng)域前景廣闊,目前以5G基站PA為主預(yù)計(jì)將來會擴(kuò)寬至終端設(shè)備射頻領(lǐng)域(如手機(jī)).另外GaN-MOsFET還在1000V內(nèi)的快充,電動(dòng)汽車等低電壓和中壓領(lǐng)域具有很大的潛在應(yīng)用價(jià)值?(君芯-MOS)