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碳化硅二極管通過(guò)材料與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，在高電壓、高溫、高頻場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，成為電力電子領(lǐng)域的重要技術(shù)方向。盡管其成本仍高于硅器件，但隨著技術(shù)進(jìn)步（如Vishay的薄晶圓技術(shù)）和規(guī)?；a(chǎn)，SiC二極管在新能源汽車(chē)、可再生能源等領(lǐng)域的滲透率將持續(xù)提升。
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率的通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備的輔助電源。另外，還可確保長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。(ROHM 羅姆)
SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。
“碳化硅二極管壓降” 是指碳化硅二極管的電動(dòng)勢(shì)差。碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，具有P-N結(jié)結(jié)構(gòu)，可以用于控制電流或電壓。二極管壓降是指在二極管正向?qū)顟B(tài)下，二極管的P-N結(jié)之間的電動(dòng)勢(shì)差，即正向偏置電壓。這是由于二極管中接觸面的電勢(shì)差導(dǎo)致的。
使用碳化硅二極管時(shí)，需要注意一些安全因素，如避免過(guò)大的電流流經(jīng)二極管，以防損壞。在使用過(guò)程中，還需要注意電路設(shè)計(jì)和二極管的選擇，以確保系統(tǒng)的最佳性能。
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
碳化硅（SiC）二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱(chēng)反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專(zhuān)用升壓二極管。
碳化硅(SiC)MOSFET 的電路符號(hào)與傳統(tǒng)的硅 MOSFET 的符號(hào)類(lèi)似，只是在符號(hào)上加上了一些特殊的標(biāo)記來(lái)表示其特性。
在P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計(jì)算VDS時(shí)，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進(jìn)行計(jì)算：
碳化硅（SiC）二極管具有較低的開(kāi)關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測(cè)方法：
