江蘇長晶科技(JSCJ)作為國內功率半導體領域的領軍企業(yè),通過“設計制造封測”垂直整合(IDM)模式,形成了多維度技術優(yōu)勢?其核心優(yōu)勢產品可系統(tǒng)歸納如下:
一?分立器件與功率半導體
- 高性能二極管
快恢復二極管(FRD):采用平面/trench結構,反向恢復時間僅5ns,正向壓降低至0.3V0.8V,耐壓達300V,支持高頻應用(如新能源汽車OBC和工業(yè)電源模塊),并通過車規(guī)級AECQ驗證?
肖特基二極管(SBD)與TVS二極管:具備低導通損耗(VF比同類低25%)?高結溫(175℃)特性,適用于消費電子電源保護?
- MOSFET產品矩陣
中低壓溝槽MOSFET:通過減小柵漏電容提升開關速度,降低能耗30%,應用于電機驅動和電源管理?
超結MOSFET(SJMOS):采用超結結構設計,導通電阻更低,抗雪崩能力強,車規(guī)級產品用于電動助力轉向(EPS)系統(tǒng),實現(xiàn)精準電機控制?
晶圓級封裝MOSFET:國內首款打破國際壟斷的產品,體積小?散熱優(yōu),半年銷售額破億,主導高端手機/穿戴設備電池管理?
- IGBT單管及模塊
FST3.0系列IGBT:采用微溝槽柵(1.6μm Pitch)和場終止技術,通態(tài)/開關損耗降低10%,支持600V1200V全電壓覆蓋?
光伏領域:適配不同逆變需求,提升千分之一轉換效率即可顯著降低電站成本?
新能源汽車主驅系統(tǒng):替代進口品牌,已進入比亞迪等Tier 1供應鏈,延長續(xù)航里程?
二?電源管理IC
- 低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)
CJ6214系列:PSRR達90dB@1kHz,防過沖設計,適用于筆記本/平板電腦?
CJ6216系列:輸出噪聲僅4.5μVRMS,用于智能手機攝像頭模組等精密電路?
CJ6111系列:靜態(tài)功耗0.8μA,延長穿戴設備/電子煙電池壽命?
- DCDC轉換器與鋰電保護IC
新一代100V/30V平臺DCDC轉換器提升能效25%,支持快充和新能源車電源系統(tǒng)?
三?第三代半導體與晶圓制造能力
- 碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)
SiC肖特基二極管已量產,應用于高壓場景(如充電樁);GaN HEMT和SiC MOSFET技術儲備中,瞄準新能源與數(shù)據中心?
- 自主晶圓制造
通過子公司新順微提供5/6英寸晶圓,覆蓋二極管?三極管?MOSFET晶圓:
優(yōu)化外延層工藝,提升二極管耐壓與恢復速度;
三極管晶圓放大倍數(shù)達100300,抗干擾性強,適用于工業(yè)傳感器?
核心優(yōu)勢總結
| 產品線 | 技術突破 | 應用領域 |
| IGBT模塊 | FST3.0微溝槽柵設計,損耗降10% | 新能源車?光伏逆變 |
| 晶圓級MOSFET | 國內首款國產替代,超薄封裝 | 高端手機/穿戴設備 |
| 車規(guī)二極管/FRD | AECQ認證,耐壓300V,恢復時間5ns | 汽車OBC?工業(yè)電源 |
| 超低功耗LDO | 靜態(tài)電流0.8μA,PSRR>90dB | 穿戴設備?精密電子 |
長晶科技通過IDM模式實現(xiàn)全鏈自主(晶圓制造→封測),結合車規(guī)級認證與定制化設計(如光伏專用IGBT),在國產替代中占據高地?其產品結構持續(xù)向高毛利領域(汽車電子占比目標30%)傾斜,未來隨8英寸晶圓廠投產,產能與技術壁壘將進一步強化?
