IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,用了的快速開關(guān)特性和雙極型晶體管的低導(dǎo)通消耗MOSFET,用于變頻器?電源UPS?逆變焊機(jī)?感應(yīng)加熱等領(lǐng)域?產(chǎn)品主要分為單管和模塊兩種情勢IGBTIGBTIGBT?
單管IGBT,顧名思義,是指單個封裝的器件IGBT,采取TO⑵47?TO⑵20等封裝情勢?單管能夠電流容量相對較小IGBT?散熱能力有限等特點,適用于電流較小?功率較低的運用處景?市面上常見的單管電壓等級涵蓋IGBT600V?1200V?1700等V,電流規(guī)格從幾安培到數(shù)百安培不等,可以滿足不同運用需求?
模塊是由多個單管芯片并聯(lián)封裝而成的功率模塊IGBTIGBT,能夠電流容量大?開關(guān)速度快?可靠性高等優(yōu)點,適用于大電流?高功率的運用處景,比如可以新能源汽車機(jī)電驅(qū)動?光伏逆變器?高鐵牽引等?模塊根據(jù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能可分為多種類型IGBT,比如可以半橋模塊?全橋模塊?斬波模塊等,并可根據(jù)散熱方式選擇不同封裝情勢,比如可以螺絲型?壓接型?平板型等? 模塊的IGBT電壓等級在600到V6500之間V,電流規(guī)格可以到達(dá)數(shù)百安培乃至上千安培?
單管和模塊的選擇IGBTIGBT根據(jù)具體的運用處景和技術(shù)要求進(jìn)行斟酌?對電流較小?功率較低的運用,可以選擇本錢相對較低的單管IGBT;而對電流較大?功率較高的運用,則選擇性能更優(yōu)的模塊IGBT?
電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,技術(shù)也在不斷進(jìn)步IGBT,比如可以碳化硅(SiC)等新型材料的運用,進(jìn)一步提升了的性能IGBT?未來,單管及模塊將會在更高效力IGBT?更高頻率?更大功率等方面不斷發(fā)展,為推動電力電子技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級做出更大的貢獻(xiàn)?
