單管與模塊IGBT
IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor),中文名為絕緣柵雙極型晶體管,是由金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)組成的復合器件,了兩種器件的優(yōu)點,既有的高輸入阻抗和快速MOSFET開關特性,又有的大電流承載能力和低導通壓降BJT?主要用于電力電子領域IGBT,比如可以變頻器?電源?機電驅動器等?
單管和模塊IGBTIGBT是的兩種封裝情勢IGBT,在結構?性能和運用上有所不同?
單管IGBT
單管是指將單個芯片封裝在一個獨立的殼體中IGBTIGBT,常見的封裝情勢有TO⑵47?TO⑵20?TO⑶等P?單管是體積小IGBT?本錢低?易于散熱,適用于電流較小的運用處合,比如可以家電?照明?電源適配器等?
模塊IGBT
模塊是指將多個芯片和驅動電路IGBTIGBT?保護電路等集成在一個模塊,常見的封裝情勢有六單元模塊?七單元模塊等?模塊是電流大IGBT?功率高?可靠性高,適用于電流較大的運用處合,比如可以工業(yè)自動化?新能源汽車?軌道交通等? 模塊根據(jù)內部結構可以分為單管模塊和多單元模塊IGBT,中單管模塊的內部結構由數(shù)個模塊并接igbt,以到達所的電流量規(guī)格,視為大電流量規(guī)格的模塊單管igbt?
單管與模塊的區(qū)分IGBT
特性 | 單管IGBT | 模塊IGBT |
|---|---|---|
封裝 | 獨立封裝 | 集成封裝 |
電流 | 小電流 | 大電流 |
功率 | 低功率 | 高功率 |
本錢 | 低 | 高 |
散熱 | 易于散熱 | 額外的散熱措施 |
運用 | 家電?照明?電源適配器等 | 工業(yè)自動化?新能源汽車?軌道交通等 |
單管與模塊的選擇IGBT
選擇單管還是模塊IGBTIGBT,根據(jù)具體的運用需求來決定,主要斟酌以下因素:
電流大小: 電流是選擇單IGBT管還是模塊的重要因素,如果電流較小,可以選擇單管IGBT,如果電流較大,則選擇模塊IGBT?
功率大小: 功率也是選擇單管還是模塊的重要因素IGBT,如果功率較小,可以選擇單管IGBT,如果功率較大,則選擇模塊IGBT?
本錢: 模塊的本錢高于單管IGBTIGBT,這樣看來在滿足性能要求的條件下,應當盡可能選擇本錢較低的單管IGBT?
散熱: 模塊的散熱比單管困難IGBTIGBT,這樣看來在電路時斟酌散熱問題?
技術的不斷發(fā)展IGBT,單管和模塊的性能將會愈來愈高IGBTIGBT,本錢將會愈來愈低,運用范圍將會愈來愈廣?
