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SS8050,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	SS8050_SOT-23.pdf
	SS8050_SOT-323

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SS8050_SOT-323

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

SIC MOSFET模塊的優(yōu)勢(shì) mos模塊由CiscoIOS開發(fā)的一個(gè)網(wǎng)絡(luò)連接網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，下載較迅速有效地管理網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器資源。mos模塊可以使管理員更便捷的訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器來(lái)管理服務(wù)器，以及修改服務(wù)器的通信參數(shù)，修改服務(wù)器的業(yè)務(wù)腳本，moS 為應(yīng)用程序的增強(qiáng)提供更多的可能性和靈活性，也解決了傳統(tǒng)的系統(tǒng)管理問(wèn)題，為系統(tǒng)管理提供了更多的靈活性和靈活性。

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能。其差異在于：

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

SiC MOSFET和Si IGBT驅(qū)動(dòng)電路差異對(duì)比 SiC MOSFET與Si IGBT都是電子產(chǎn)品發(fā)展不可或缺的產(chǎn)品，SiC MOSFET與Si IGBT有很多的共同特性也有差異，那么下面就對(duì)其產(chǎn)品的差異進(jìn)行一下對(duì)比：

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導(dǎo)通特性不同，3.成本和復(fù)雜度不同。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽(yáng)能電池板和太陽(yáng)能系統(tǒng)。例如，在太陽(yáng)能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過(guò)大或過(guò)壓，從而保護(hù)太陽(yáng)能電池元件。在太陽(yáng)能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過(guò)程。

低感SiC 功率模塊介紹低感SiC功率模塊指的是使用硅碳化物（SiC）作為半導(dǎo)體材料的功率模塊，具有較低的電感值。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率模塊相比，低感SiC功率模塊具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

SiC碳化硅MOSFET器件介紹 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT770N25VC01020701CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	SS8050
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	25V
基極電壓（?VCBO）? ：	40V
耗散功率：	300mW
封裝：	SOT-23
說(shuō)明：	三極管（晶體管） ,SS8050 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 40V ,300mW ,1500mA ,SOT-23

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