SiC MOSFET與Si IGBT都是電子產(chǎn)品發(fā)展不可或缺的產(chǎn)品,SiC MOSFET與Si IGBT有很多的共同特性也有差異,那么下面就對其產(chǎn)品的差異進(jìn)行一下對比:

1?功耗差異:SiC MOSFET的功耗比Si IGBT明顯減少,因?yàn)椴紶柕挚沟脑黾?其軟啟動(dòng)和低頻行為也更好,減少了散熱問題?

2?開關(guān)特性差異:SiC MOSFET的開關(guān)特性表現(xiàn)出較高的速度和效率,給電路帶來了安全性?Si IGBT以低成本而著稱,其開關(guān)速度和功率密度遠(yuǎn)低于SiC MOSFET,但適用于低頻應(yīng)用?

3?噪聲差異:SiC MOSFET輸出電壓噪聲更低,可以實(shí)現(xiàn)更高的精度和穩(wěn)定性?Si IGBT在短時(shí)間下使濾波器效果出現(xiàn)較大偏差?

4?功率密度差異:SiC MOSFET的功率密度比Si IGBT大得多,在同樣的尺寸上擁有更大的功率容量,可以減少整體的尺寸?因此通常情況下,SiC MOSFET在空間有限的情況下更有優(yōu)勢?(君芯-MOS)