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BCX19,長電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計(jì)發(fā)貨日期 2025-12-05

在線詢價(jià)

產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

FMMT619

三極管（晶體管） ,FMMT619 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,350mW ,2000mA ,SOT-23

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2SB709A

三極管（晶體管） ,2SB709A ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,200mW ,100mA ,SOT-23,BQ1

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2SD1781

三極管（晶體管） ,2SD1781 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,800mA ,SOT-23,AFQ

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2SB1197

三極管（晶體管） ,2SB1197 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,800mA ,SOT-23,AHR

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PZT3904

三極管（晶體管） ,PZT3904 ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 60V ,1000mW ,200mA ,SOT-223

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KTA1504

三極管（晶體管） ,KTA1504 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,150mA ,SOT-23,ASO

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3DK2222A

三極管（晶體管） ,3DK2222A ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 75V ,225mW ,600mA ,SOT-23

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2SB1197

三極管（晶體管） ,2SB1197 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,800mA ,SOT-23,AHQ

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BCP56

三極管（晶體管） ,BCP56 ,NPN ,VCEO:80V ,VCBO: 100V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,10

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CZT32C

三極管（晶體管） ,CZT32C ,PNP ,VCEO:100V ,VCBO: 100V ,1000mW ,3000mA ,SOT-223

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2SA1586

三極管（晶體管） ,2SA1586 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,100mW ,150mA ,SOT-323,SY

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2SD1782

三極管（晶體管） ,2SD1782 ,NPN ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,200mW ,500mA ,SOT-23,AJQ

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KTC3875

三極管（晶體管） ,KTC3875 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,150mA ,SOT-23,ALG

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2SD596

三極管（晶體管） ,2SD596 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,700mA ,SOT-23,1

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BFS20

三極管（晶體管） ,BFS20 ,NPN ,VCEO:20V ,VCBO: 30V ,250mW ,25mA ,SOT-23

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2PD601AW

三極管（晶體管） ,2PD601AW ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-323,6E

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KTC4075

三極管（晶體管） ,KTC4075 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,100mW ,150mA ,SOT-23,LO

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BC808

三極管（晶體管） ,BC808 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,300mW ,800mA ,SOT-23,5E

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MMBT5551

三極管（晶體管） ,MMBT5551 ,NPN ,VCEO:160V ,VCBO: 180V ,300mW ,600mA ,SOT-23

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2SB1197

三極管（晶體管） ,2SB1197 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,800mA ,SOT-23,AHP

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低導(dǎo)通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應(yīng)用中有著廣泛的前景，例如電動(dòng)汽車、電力電子變換器和太陽能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對(duì)較慢，可能有以下幾個(gè)原因：

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs SiC MOSFET的電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過程中，流過二極管的電流。

碳化硅(SiC)二極管的使用方法使用碳化硅二極管時(shí)，需要注意一些安全因素，如避免過大的電流流經(jīng)二極管，以防損壞。在使用過程中，還需要注意電路設(shè)計(jì)和二極管的選擇，以確保系統(tǒng)的最佳性能。

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護(hù)器為電子設(shè)備的電源浪涌防護(hù)提供了一種簡便、經(jīng)濟(jì)、可靠的防護(hù)方法。

高壓SiC MOSFET的發(fā)展趨勢(shì) 高壓SiC mosfet的研究正在逐步深入，主要集中在高壓SiC mosfet的設(shè)計(jì)、制備和檢測(cè)等方面。近兩年來,Sic Mosfet已經(jīng)突破了2600V的峰值隧道電壓,晶面絕緣特性高達(dá)200MV?cm-1,靜態(tài)性能達(dá)到了半橋拓?fù)渲袉涡酒?00A/1700V,并可支持恒定電流和恒定電壓調(diào)節(jié)器操作。除此之外，還有針對(duì)固體染料太陽能設(shè)計(jì)的SiC Mosfet，滿足這些應(yīng)用的需求。

碳化硅(SiC)陶瓷應(yīng)用半導(dǎo)體碳化硅(SiC)陶瓷是一種半導(dǎo)體材料，在很多半導(dǎo)體應(yīng)用中有廣泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半導(dǎo)體應(yīng)用：

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計(jì)，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

碳化硅(SiC)二極管的測(cè)試與檢測(cè)方法碳化硅（SiC）二極管具有較低的開關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測(cè)方法：

SiC MOSFET 比 Si MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì) SiC MOSFETs（碳化硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）與Si MOSFETs（硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）相比，有許多優(yōu)勢(shì)，具體優(yōu)勢(shì)如下：

碳化硅(SiC)二極管的應(yīng)用碳化硅MOSFET模塊在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。

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產(chǎn)品編號(hào)： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT436N45VC05250501CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	BCX19
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	45V
基極電壓（?VCBO）? ：	50V
耗散功率：	225mW
封裝：	SOT-23
說明：	三極管（晶體管） ,BCX19 ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,225mW ,500mA ,SOT-23

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BCX19,長電,三極管（晶體管）

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