MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,其主要區(qū)別如下:
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工作原理不同: MOSFET是一種場效應(yīng)晶體管,其工作原理基于柵極電壓控制溝道電阻的變化,從而控制漏極-源極之間的電流?而SBD是肖特基二極管,其工作原理基于p-n結(jié)的肖特基勢壘,在反向偏置下形成阻擋層,從而控制正向電流的流動?
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導(dǎo)通特性不同: MOSFET具有低導(dǎo)通電阻?高頻率特性等優(yōu)點,可以用于功率放大器?開關(guān)電路等應(yīng)用?SBD具有快速開關(guān)特性?低正向壓降等優(yōu)點,可以用于高速開關(guān)電路?電源管理等應(yīng)用?
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成本和復(fù)雜度不同: MOSFET的制造工藝比SBD更為復(fù)雜,因此其成本也相對較高?同時,MOSFET通常需要控制電路和驅(qū)動電路等輔助器件,使其復(fù)雜度較高?而SBD的制造工藝相對簡單,成本較低,且不需要額外的控制電路?
綜上所述,MOSFET和SBD在工作原理?導(dǎo)通特性?成本和復(fù)雜度等方面存在差異,可以根據(jù)應(yīng)用需求來選擇使用哪種器件?(長電-MOS)
