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屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

DTC124EUA

數(shù)字晶體管 ,DTC124EUA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,56 ,SOT-323

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DTA114TM

數(shù)字晶體管 ,DTA114TM ,PNP ,100mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-723

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數(shù)字晶體管 ,DTC113ZCA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,33 ,SOT-23

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些區(qū)別？氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) MOSFET和超級結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

碳化硅(SiC)二極管的測試與檢測方法碳化硅（SiC）二極管具有較低的開關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測方法：

MOSFET vds 振鈴是什么？ VDS 震鈴是指在使用碳化硅 MOSFET 時，VDS（直流源漏電壓）發(fā)生震蕩的現(xiàn)象。這是由于 MOSFET 的特殊工作原理導致的，因為 MOSFET 是一種開關(guān)器件，它具有在開啟和關(guān)閉狀態(tài)間變化的能力。

SiC碳化硅MOSFET器件介紹 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。

碳化硅(SiC)二極管壓降因素 “碳化硅二極管壓降” 是指碳化硅二極管的電動勢差。碳化硅二極管是一種半導體器件，具有P-N結(jié)結(jié)構(gòu)，可以用于控制電流或電壓。二極管壓降是指在二極管正向?qū)顟B(tài)下，二極管的P-N結(jié)之間的電動勢差，即正向偏置電壓。這是由于二極管中接觸面的電勢差導致的。

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測試項目Vgs SiC MOSFET的電性測試項目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過程中，流過二極管的電流。

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導通特性不同，3.成本和復(fù)雜度不同。

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護器為電子設(shè)備的電源浪涌防護提供了一種簡便、經(jīng)濟、可靠的防護方法。

產(chǎn)品編號：	QD-DD017P31AA26CJ
制造商產(chǎn)品編號：	DTA114TKA
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	數(shù)字晶體管
極性：	PNP
耗散功率(PD) ：	200mW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-23-3L
說明：	數(shù)字晶體管 ,DTA114TKA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-23-3L

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DTA114TKA,長電,數(shù)字晶體管

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