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屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

TSC114YNND03

數(shù)字晶體管 ,TSC114YNND03 ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,68 ,WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)

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DTC144EM

數(shù)字晶體管 ,DTC144EM ,NPN ,100mW ,100mA ,50V ,68 ,SOT-723

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DTA143TE

數(shù)字晶體管 ,DTA143TE ,PNP ,150mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-523

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DTA124ECA

數(shù)字晶體管 ,DTA124ECA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,56 ,SOT-23

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DTC123JSA

數(shù)字晶體管 ,DTC123JSA ,NPN ,300mW ,100mA ,50V ,80 ,TO-92S

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數(shù)字晶體管 ,DTC143ZKA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,80 ,SOT-23-3L

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TSA143ENND03

數(shù)字晶體管 ,TSA143ENND03 ,PNP ,150mW ,100mA ,50V ,30 ,WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)

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DTA115TCA

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DTD123YUA

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數(shù)字晶體管 ,DTC114EUA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,30 ,SOT-323

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數(shù)字晶體管 ,DTA143TUA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-323

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DTA114TE

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數(shù)字晶體管 ,DTA123JSA ,P*P ,300mW ,100mA ,50V ,80 ,TO-92S

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數(shù)字晶體管 ,DTC113ZKA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,33 ,SOT-23-3L

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計(jì)，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

低感SiC 功率模塊介紹低感SiC功率模塊指的是使用硅碳化物（SiC）作為半導(dǎo)體材料的功率模塊，具有較低的電感值。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率模塊相比，低感SiC功率模塊具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

碳化硅(SiC)二極管的應(yīng)用碳化硅MOSFET模塊在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。

為什么SiC MOS負(fù)壓高會(huì)影響閥值漂移 SiC MOSFET 被負(fù)壓影響閥值漂移是因?yàn)檫@種器件具有較高的漏電流，這會(huì)導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小，從而影響 MOSFET 的開關(guān)性能。此外，高負(fù)壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進(jìn)入破裂模式，并引發(fā)其他不良影響。

碳化硅(SiC)二極管的測試與檢測方法碳化硅（SiC）二極管具有較低的開關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測方法：

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化 SiC?MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

MOS管比晶體三極管的優(yōu)勢有哪些？ MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)與晶體管有哪些區(qū)別和優(yōu)勢，本文詳細(xì)介紹。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護(hù)太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

產(chǎn)品編號(hào)：	QD-DD018P11AA04CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	DTA114TM
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	數(shù)字晶體管
極性：	PNP
耗散功率(PD) ：	100MW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-723
說明：	數(shù)字晶體管 ,DTA114TM ,PNP ,100mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-723

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DTA114TM,長電,數(shù)字晶體管

DTA114TM

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DTA114TM,長電,數(shù)字晶體管

DTA114TM

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