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屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計(jì)發(fā)貨日期 2025-12-13

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

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數(shù)字晶體管 ,DTA123YM ,PNP ,100mW ,100mA ,50V ,33 ,SOT-723

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數(shù)字晶體管 ,DTC114EKA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,30 ,SOT-23-3L

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數(shù)字晶體管 ,DTB113ZCA ,PNP ,200mW ,500mA ,50V ,56 ,SOT-23

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數(shù)字晶體管 ,DTA114YE ,PNP ,150mW ,100mA ,50V ,68 ,SOT-523

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數(shù)字晶體管 ,DTC115EE ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,82 ,SOT-523

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數(shù)字晶體管 ,DTC143XSA ,NPN ,300mW ,100mA ,50V ,30 ,TO-92S

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境與應(yīng)用市場(chǎng) SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)這一難題，基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點(diǎn)成為電動(dòng)汽車(chē)，充電樁和光伏逆變器（不考慮成本的話）的最優(yōu)方案；

P溝道增強(qiáng)型VDS和CGS計(jì)算方式在P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計(jì)算VDS時(shí)，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導(dǎo)通特性不同，3.成本和復(fù)雜度不同。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

MOS管比晶體三極管的優(yōu)勢(shì)有哪些？ MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)與晶體管有哪些區(qū)別和優(yōu)勢(shì)，本文詳細(xì)介紹。

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化 SiC?MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車(chē)用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

碳化硅(SiC)二極管反向恢復(fù)原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能。其差異在于：

產(chǎn)品編號(hào)：	QD-DD076P31AA01CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	DTA144TCA
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	數(shù)字晶體管
極性：	PNP
耗散功率(PD) ：	200mW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-23
說(shuō)明：	數(shù)字晶體管 ,DTA144TCA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-23

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DTA144TCA,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

DTA144TCA

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DTA144TCA,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

DTA144TCA

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