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MBR0560,長電,肖特基二極管

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-肖特基二極管
產(chǎn)品類別	肖特基二極管
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-肖特基二極管

產(chǎn)品類別

肖特基二極管

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應用

RB521CS-30

肖特基二極管 ,RB521CS-30 ,VR:30V ,IO:100mA ,VF:0.5V ,PD:100mW ,SOD-923

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BAV23C

肖特基二極管 ,BAV23C ,VR:250V ,IO:100mA ,VF:1.25V ,PD:350mW ,SOT-23

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DSS70LED02

肖特基二極管 ,DSS70LED02 ,VR:70V ,- ,VF:1V ,PD:250mW ,WBFBP-02C

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肖特基二極管 ,RB520S-40 ,VR:40V ,IO:200mA ,VF:0.55V ,PD:150mW ,SOD-523

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肖特基二極管 ,MBR0530 ,VR:30V ,IO:500mA ,VF:0.55V ,PD:410mW ,SOD-123

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MOS管損耗計算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過計算其電流損耗和功率損耗來估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過電流時產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過 MOS 管時與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過如下公式計算：

SiC碳化硅MOS雙脈沖測試設(shè)備對驅(qū)動板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測試設(shè)備對驅(qū)動板的要求如下：

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境與應用市場 SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時實現(xiàn)這一難題，基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點成為電動汽車，充電樁和光伏逆變器（不考慮成本的話）的最優(yōu)方案；

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導通特性不同，3.成本和復雜度不同。

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護器為電子設(shè)備的電源浪涌防護提供了一種簡便、經(jīng)濟、可靠的防護方法。

高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢，例如低導通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應用中有著廣泛的前景，例如電動汽車、電力電子變換器和太陽能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對較慢，可能有以下幾個原因：

SiC MOSFET和Si IGBT驅(qū)動電路差異對比 SiC MOSFET與Si IGBT都是電子產(chǎn)品發(fā)展不可或缺的產(chǎn)品，SiC MOSFET與Si IGBT有很多的共同特性也有差異，那么下面就對其產(chǎn)品的差異進行一下對比：

碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配碳化硅(SiC)解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構(gòu)和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術(shù)的問世，現(xiàn)今的SiC解決方案使設(shè)計人員能夠讓這些系統(tǒng)以最少的能源消耗產(chǎn)生最大的生產(chǎn)力。

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產(chǎn)品編號：	DK-K21560V0A500190904CJ
制造商產(chǎn)品編號：	MBR0560
制造商：	長電
系列：	長電-肖特基二極管
產(chǎn)品類型：	肖特基二極管
工作電壓：	60V
工作電流：	500mA
壓降(VF) ：	0.7V
功率耗散：	410mW
封裝：	SOD-123
說明：	肖特基二極管 ,MBR0560 ,VR:60V ,IO:500mA ,VF:0.7V ,PD:410mW ,SOD-123

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MBR0560,長電,肖特基二極管

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