芯銅 MOSFET:新一代功率半導(dǎo)體
芯銅 MOSFET:新一代功率半導(dǎo)體
科技的飛速發(fā)展,電子裝備正朝著小型化?高性能的方向不斷邁進(jìn)?而實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵,便是功率半導(dǎo)體技術(shù)的革新眾多功率半導(dǎo)體器件,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以其高速開關(guān)?低功耗等優(yōu)勢(shì),成了現(xiàn)代電子裝備中很重要,不可缺少的一部份?近些年來,一種名為?芯銅 MOSFET?的新型器件憑仗其優(yōu)良的性能,逐步走進(jìn)了人們的視野,通過了望引領(lǐng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的未來發(fā)展方向?
甚么是芯銅 MOSFET?
以前 MOSFET 采取鋁作為源極和漏極的金屬接觸材料?芯片尺寸的不斷縮小,鋁互連線的電阻和寄生電容成了制約器件性能提升的瓶頸?為了克服這一問題,芯銅 MOSFET 應(yīng)運(yùn)而生?采取銅作為源極和漏極的金屬接觸材料,充分利用了銅優(yōu)良的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能,從而明顯提升了器件的整體性能?
芯銅 MOSFET 的優(yōu)勢(shì)
相比于以前的鋁基 MOSFET,芯銅 MOSFET 能夠以下明顯優(yōu)勢(shì):
更低的導(dǎo)線電阻: 銅的電阻率遠(yuǎn)低于鋁,這樣看來芯銅 MOSFET 的導(dǎo)線電阻更低,可以可以下降導(dǎo)通消耗,提高能源效力?
更小的寄生電容: 銅的介電常數(shù)低于鋁,這樣看來芯銅 MOSFET 的寄生電容更小,可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)速度和頻率,滿足現(xiàn)代電子裝備對(duì)高性能的需求?
更好的散熱性能: 銅的導(dǎo)熱性能優(yōu)于鋁,這樣看來芯銅 MOSFET 更可以地散發(fā)器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量,提高器件的可靠性和使用壽命?
芯銅 MOSFET 的運(yùn)用
芯銅 MOSFET 的優(yōu)良性能使其在眾多領(lǐng)域具有廣闊的運(yùn)用前景,比如可以:
消費(fèi)電子: 智能手機(jī)?筆記本電腦?平板電腦等移動(dòng)裝備對(duì)電池續(xù)航能力和性能的要求愈來愈高,芯銅 MOSFET 可以可以下降功耗,延長(zhǎng)電池使用時(shí)間,同時(shí)提升裝備的運(yùn)行速度?
新能源汽車: 電動(dòng)汽車?混合動(dòng)力汽車等新能源汽車的快速發(fā)展,對(duì)功率半導(dǎo)體器件提出了更高的要求?芯銅 MOSFET 可以滿足高電壓?大電流的運(yùn)用需求,提高機(jī)電驅(qū)動(dòng)效力,延長(zhǎng)續(xù)航里程?
工業(yè)控制: 在工業(yè)自動(dòng)化?機(jī)器人?伺服系統(tǒng)等領(lǐng)域,芯銅 MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)?高效的控制,提高生產(chǎn)效力和產(chǎn)品質(zhì)量?
芯銅 MOSFET 的未來發(fā)展趨勢(shì)
技術(shù)的不斷進(jìn)步,芯銅 MOSFET 的性能將會(huì)進(jìn)一步提升,運(yùn)用范圍也將不斷擴(kuò)大?未來發(fā)展趨勢(shì)主要包含了:
更高集成度: 將芯銅 MOSFET 與其他功能電路集成在同一芯片上,可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸?更低本錢的解決方案?
更寬禁帶半導(dǎo)體材料: 采取碳化硅(SiC)?氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料,可以進(jìn)一步提高芯銅 MOSFET 的耐壓性能和工作溫度,拓寬其運(yùn)用領(lǐng)域?
總而言之,芯銅 MOSFET 作為一種新興的功率半導(dǎo)體器件,憑仗其優(yōu)良的性能和廣闊的運(yùn)用前景,將成為未來電子技術(shù)發(fā)展的重要方向?技術(shù)的不斷進(jìn)步和本錢的下降,芯銅 MOSFET 將在更多領(lǐng)域得到運(yùn)用,為我們的生活帶來更多便利?
