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2SD2114,長電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應用

2SC4097

三極管（晶體管） ,2SC4097 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,CQ

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2SA1577

三極管（晶體管） ,2SA1577 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,HP

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BC847T

三極管（晶體管） ,BC847T ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,150mW ,100mA ,SOT-523,1F

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BC847

三極管（晶體管） ,BC847 ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,200mW ,100mA ,SOT-23,1G

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2SD602

三極管（晶體管） ,2SD602 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WR1

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三極管（晶體管） ,2SC4180 ,NPN ,VCEO:120V ,VCBO: 120V ,150mW ,50mA ,SOT-323,D18

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三極管（晶體管） ,2SD596 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,700mA ,SOT-23,DV3

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BCX70K

三極管（晶體管） ,BCX70K ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,250mW ,200mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,2SC2715 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,350mW ,50mA ,SOT-23,RO1

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三極管（晶體管） ,BCP68 ,NPN ,VCEO:20V ,VCBO: 32V ,1000mW ,1000mA ,SOT-223,16

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三極管（晶體管） ,2SB1198 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,200mW ,500mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,2SC4177 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,L4

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三極管（晶體管） ,BC807 ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,300mW ,500mA ,SOT-23,5C

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三極管（晶體管） ,BCP56 ,NPN ,VCEO:80V ,VCBO: 100V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,16

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三極管（晶體管） ,MMBTA56 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,225mW ,500mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,MMST4403 ,PNP ,VCEO:40V ,VCBO: 40V ,200mW ,600mA ,SOT-323

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應用

碳化硅(SiC)二極管反向恢復原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。

碳化硅(SiC)陶瓷應用半導體碳化硅(SiC)陶瓷是一種半導體材料，在很多半導體應用中有廣泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半導體應用：

碳化硅(SiC)二極管壓降因素 “碳化硅二極管壓降” 是指碳化硅二極管的電動勢差。碳化硅二極管是一種半導體器件，具有P-N結結構，可以用于控制電流或電壓。二極管壓降是指在二極管正向導通狀態(tài)下，二極管的P-N結之間的電動勢差，即正向偏置電壓。這是由于二極管中接觸面的電勢差導致的。

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領域。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設計與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設計和制造流程。

碳化硅(SiC)二極管是什么？如何判斷好壞碳化硅（SiC）二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導率和較高的高頻特性。學習 SIC MOSFET 包括以下幾個方面：

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境與應用市場 SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時實現(xiàn)這一難題，基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點成為電動汽車，充電樁和光伏逆變器（不考慮成本的話）的最優(yōu)方案；

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導電性能。其差異在于：

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應用中的效率可以達到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應用

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產(chǎn)品編號：	QT-TQT308N20VC04170501CJW
制造商產(chǎn)品編號：	2SD2114
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	20V
基極電壓（?VCBO）? ：	25V
耗散功率：	250mW
封裝：	SOT-23
說明：	三極管（晶體管） ,2SD2114 ,NPN ,VCEO:20V ,VCBO: 25V ,250mW ,500mA ,SOT-23,BBV

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