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BC807,長電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計發(fā)貨日期 2025-12-06

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

2SD1781

三極管（晶體管） ,2SD1781 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,800mA ,SOT-23,AFR

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MMBT2907A

三極管（晶體管） ,MMBT2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,250mW ,600mA ,SOT-23

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MMST2907A

三極管（晶體管） ,MMST2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,200mW ,600mA ,SOT-323

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2SC2411

三極管（晶體管） ,2SC2411 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-23,CP

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S9015

三極管（晶體管） ,S9015 ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,200mW ,100mA ,SOT-23

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BCP54

三極管（晶體管） ,BCP54 ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,10

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三極管（晶體管） ,2SC2712 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,150mA ,SOT-23,LL

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BCP56

三極管（晶體管） ,BCP56 ,NPN ,VCEO:80V ,VCBO: 100V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,16

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三極管（晶體管） ,2SC4618 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 40V ,150mW ,50mA ,SOT-523,AN

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三極管（晶體管） ,2SD602A ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,500mA ,SOT-23,XR

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三極管（晶體管） ,MMBTA56 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,225mW ,500mA ,SOT-23

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2SC2715

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2SC4098

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2SD1819A

三極管（晶體管） ,2SD1819A ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,ZQ

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

SiC MOS驅(qū)動設(shè)計 SiC?mos驅(qū)動設(shè)計?SiC?mos驅(qū)動設(shè)計是一個復(fù)雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個方面：

SiC芯片制造的主要6個環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長，集成電路設(shè)計與制作，晶片測試，整合。

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境與應(yīng)用市場 SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時實現(xiàn)這一難題，基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點成為電動汽車，充電樁和光伏逆變器（不考慮成本的話）的最優(yōu)方案；

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計，優(yōu)化驅(qū)動程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

SIC MOSFET模塊的優(yōu)勢 mos模塊由CiscoIOS開發(fā)的一個網(wǎng)絡(luò)連接網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，下載較迅速有效地管理網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器資源。mos模塊可以使管理員更便捷的訪問網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器來管理服務(wù)器，以及修改服務(wù)器的通信參數(shù)，修改服務(wù)器的業(yè)務(wù)腳本，moS 為應(yīng)用程序的增強提供更多的可能性和靈活性，也解決了傳統(tǒng)的系統(tǒng)管理問題，為系統(tǒng)管理提供了更多的靈活性和靈活性。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計和制造流程。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習 SIC MOSFET 包括以下幾個方面：

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

碳化硅(SiC)二極管反向恢復(fù)原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時間也小于10ns。

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產(chǎn)品編號： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號：	QT-TQT404P45VC05020501CJC
制造商產(chǎn)品編號：	BC807
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	PNP
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	45V
基極電壓（?VCBO）? ：	50V
耗散功率：	300mW
封裝：	SOT-23
說明：	三極管（晶體管） ,BC807 ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,300mW ,500mA ,SOT-23,5C

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BC807,長電,三極管（晶體管）

BC807

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