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2SC4738,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	2SC4738_SOT-523

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2SC4738_SOT-523

出貨周期：預(yù)計(jì)發(fā)貨日期 2025-12-12

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三極管（晶體管） ,2SC4097 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,CQ

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2SC4177

三極管（晶體管） ,2SC4177 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,L6

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2SD602

三極管（晶體管） ,2SD602 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WR1

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FMMT591

三極管（晶體管） ,FMMT591 ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 80V ,250mW ,1000mA ,SOT-23

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2SB709A

三極管（晶體管） ,2SB709A ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,200mW ,100mA ,SOT-23,BS1

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三極管（晶體管） ,2SC4215 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 40V ,100mW ,20mA ,SOT-323,QR

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三極管（晶體管） ,2SC3052 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,200mA ,SOT-23,LG

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三極管（晶體管） ,S8550 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 40V ,300mW ,500mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,B772 ,PNP ,VCEO:30V ,VCBO: 40V ,1250mW ,3000mA ,SOT-223,Y

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三極管（晶體管） ,BF821 ,PNP ,VCEO:300V ,VCBO: 300V ,250mW ,50mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,2SD1819A ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,ZS

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三極管（晶體管） ,MMBT2222A ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 75V ,300mW ,600mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,2SA1013 ,PNP ,VCEO:160V ,VCBO: 160V ,900mW ,1000mA ,TO-92L,Y

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三極管（晶體管） ,KTC3876 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WG

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

SIC MOSFET模塊的優(yōu)勢(shì) mos模塊由CiscoIOS開發(fā)的一個(gè)網(wǎng)絡(luò)連接網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，下載較迅速有效地管理網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器資源。mos模塊可以使管理員更便捷的訪問網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器來管理服務(wù)器，以及修改服務(wù)器的通信參數(shù)，修改服務(wù)器的業(yè)務(wù)腳本，moS 為應(yīng)用程序的增強(qiáng)提供更多的可能性和靈活性，也解決了傳統(tǒng)的系統(tǒng)管理問題，為系統(tǒng)管理提供了更多的靈活性和靈活性。

SiC MOSFET和Si IGBT驅(qū)動(dòng)電路差異對(duì)比 SiC MOSFET與Si IGBT都是電子產(chǎn)品發(fā)展不可或缺的產(chǎn)品，SiC MOSFET與Si IGBT有很多的共同特性也有差異，那么下面就對(duì)其產(chǎn)品的差異進(jìn)行一下對(duì)比：

碳化硅(SiC)二極管壓降因素 “碳化硅二極管壓降” 是指碳化硅二極管的電動(dòng)勢(shì)差。碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，具有P-N結(jié)結(jié)構(gòu)，可以用于控制電流或電壓。二極管壓降是指在二極管正向?qū)顟B(tài)下，二極管的P-N結(jié)之間的電動(dòng)勢(shì)差，即正向偏置電壓。這是由于二極管中接觸面的電勢(shì)差導(dǎo)致的。

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些區(qū)別？氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護(hù)太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

碳化硅(SiC)二極管的使用方法使用碳化硅二極管時(shí)，需要注意一些安全因素，如避免過大的電流流經(jīng)二極管，以防損壞。在使用過程中，還需要注意電路設(shè)計(jì)和二極管的選擇，以確保系統(tǒng)的最佳性能。

為什么SiC MOS負(fù)壓高會(huì)影響閥值漂移 SiC MOSFET 被負(fù)壓影響閥值漂移是因?yàn)檫@種器件具有較高的漏電流，這會(huì)導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小，從而影響 MOSFET 的開關(guān)性能。此外，高負(fù)壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進(jìn)入破裂模式，并引發(fā)其他不良影響。

SiC MOSFET 比 Si MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì) SiC MOSFETs（碳化硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）與Si MOSFETs（硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）相比，有許多優(yōu)勢(shì)，具體優(yōu)勢(shì)如下：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT256N50VC02141103CJG
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	2SC4738
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	50V
基極電壓（?VCBO）? ：	60V
耗散功率：	100mW
封裝：	SOT-523
說明：	三極管（晶體管） ,2SC4738 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,100mW ,150mA ,SOT-523,LG

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2SC4738,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

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2SC4738,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

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