SiC MOSFETs(碳化硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管)與Si MOSFETs(硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管)相比,有許多優(yōu)勢(shì):
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高電壓穩(wěn)定性:SiC MOSFETs具有高達(dá)1,200 V的峰值重復(fù)恢復(fù)電壓,比Si MOSFETs高出幾倍?這使得它們更適合高壓應(yīng)用?
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高效率:SiC MOSFETs具有更低的漏電流和更高的效率,可以降低系統(tǒng)功率損失?
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高溫耐久性:SiC MOSFETs具有更高的溫度耐久性,可以在高溫環(huán)境下工作?
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快速響應(yīng):SiC MOSFETs具有更快的響應(yīng)速度,使得它們?cè)诟哳l應(yīng)用中更有效?
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高可靠性:SiC MOSFETs具有更高的可靠性,因?yàn)樗鼈兏€(wěn)定,更不易受損?
然而,SiC MOSFETs目前仍然較昂貴,生產(chǎn)成本高,不如Si MOSFETs普及,因此在一些應(yīng)用場(chǎng)合仍然不太可行?但隨著生產(chǎn)技術(shù)的不斷提高,SiC MOSFETs的價(jià)格可能會(huì)降低,將成為更多應(yīng)用的選擇?
總的來(lái)說(shuō),SiC MOSFETs具有更高的效率?可靠性和耐久性,使它們成為高壓?高溫和高頻應(yīng)用的優(yōu)選選擇?(君芯-MOS)
