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2SB624,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計(jì)發(fā)貨日期 2025-12-17

在線詢價(jià)

產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

2SC5344

三極管（晶體管） ,2SC5344 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,200mW ,800mA ,SOT-23,FAY

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2SA1013

三極管（晶體管） ,2SA1013 ,PNP ,VCEO:160V ,VCBO: 160V ,900mW ,1000mA ,TO-92MOD,R

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2SA1579

三極管（晶體管） ,2SA1579 ,PNP ,VCEO:120V ,VCBO: 120V ,100mW ,50mA ,SOT-323,RS

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2SA1577

三極管（晶體管） ,2SA1577 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,HP

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BCP51

三極管（晶體管） ,BCP51 ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,1500mW ,1000mA ,SOT-

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KTC3876

三極管（晶體管） ,KTC3876 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WO

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BCW61

三極管（晶體管） ,BCW61 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 32V ,250mW ,100mA ,SOT-23,BD

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2SB624

三極管（晶體管） ,2SB624 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,700mA ,SOT-23,1

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MMBT5401

三極管（晶體管） ,MMBT5401 ,PNP ,VCEO:150V ,VCBO: 160V ,300mW ,600mA ,SOT-23

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2SA1013

三極管（晶體管） ,2SA1013 ,PNP ,VCEO:160V ,VCBO: 160V ,500mW ,1000mA ,SOT-89-3L,Y

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BCP51

三極管（晶體管） ,BCP51 ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,16

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三極管（晶體管） ,B772 ,PNP ,VCEO:30V ,VCBO: 40V ,1250mW ,3000mA ,SOT-223,O

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三極管（晶體管） ,MMBTA44 ,NPN ,VCEO:400V ,VCBO: 500V ,350mW ,200mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,BC808 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,300mW ,800mA ,SOT-23,5F

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MMST4403

三極管（晶體管） ,MMST4403 ,PNP ,VCEO:40V ,VCBO: 40V ,200mW ,600mA ,SOT-323

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2SD0602

三極管（晶體管） ,2SD0602 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WS1

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2SA1577

三極管（晶體管） ,2SA1577 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,HP

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2SC1654

三極管（晶體管） ,2SC1654 ,NPN ,VCEO:160V ,VCBO: 180V ,150mW ,50mA ,SOT-23,N5

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2SC3437

三極管（晶體管） ,2SC3437 ,NPN ,VCEO:15V ,VCBO: 40V ,150mW ,200mA ,SOT-23,CHO

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2SA1162

三極管（晶體管） ,2SA1162 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,150mA ,SOT-23,SG

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導(dǎo)通特性不同，3.成本和復(fù)雜度不同。

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護(hù)器為電子設(shè)備的電源浪涌防護(hù)提供了一種簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)、可靠的防護(hù)方法。

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能。其差異在于：

SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求如下：

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

高壓SiC MOSFET的發(fā)展趨勢(shì) 高壓SiC mosfet的研究正在逐步深入，主要集中在高壓SiC mosfet的設(shè)計(jì)、制備和檢測(cè)等方面。近兩年來,Sic Mosfet已經(jīng)突破了2600V的峰值隧道電壓,晶面絕緣特性高達(dá)200MV?cm-1,靜態(tài)性能達(dá)到了半橋拓?fù)渲袉涡酒?00A/1700V,并可支持恒定電流和恒定電壓調(diào)節(jié)器操作。除此之外，還有針對(duì)固體染料太陽能設(shè)計(jì)的SiC Mosfet，滿足這些應(yīng)用的需求。

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計(jì)，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

MOSFET vds 振鈴是什么？ VDS 震鈴是指在使用碳化硅 MOSFET 時(shí)，VDS（直流源漏電壓）發(fā)生震蕩的現(xiàn)象。這是由于 MOSFET 的特殊工作原理導(dǎo)致的，因?yàn)?MOSFET 是一種開關(guān)器件，它具有在開啟和關(guān)閉狀態(tài)間變化的能力。

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化 SiC?MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護(hù)太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品編號(hào)： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT140P25VC03061701CJ4
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	2SB624
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	PNP
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	25V
基極電壓（?VCBO）? ：	30V
耗散功率：	200mW
封裝：	SOT-23
說明：	三極管（晶體管） ,2SB624 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,700mA ,SOT-23,BV4

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2SB624,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

2SB624

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2SB624

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