國(guó)外研究現(xiàn)狀
國(guó)外對(duì)于高壓SiC mosfet的研究正在逐步深入,主要集中在高壓SiC mosfet的設(shè)計(jì)?制備和檢測(cè)等方面?近兩年來,Sic Mosfet已經(jīng)突破了2600V的峰值隧道電壓,晶面絕緣特性高達(dá)200MV•cm-1,靜態(tài)性能達(dá)到了半橋拓?fù)渲袉涡酒?00A/1700V,并可支持恒定電流和恒定電壓調(diào)節(jié)器操作?除此之外,還有針對(duì)固體染料太陽(yáng)能設(shè)計(jì)的SiC Mosfet,滿足這些應(yīng)用的需求?
國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
國(guó)內(nèi)針對(duì)高壓SiC mosfet的研究仍處于起步階段,主要集中在晶格布局?設(shè)計(jì)原理?制備技術(shù)等方面?為了滿足不同應(yīng)用場(chǎng)合需求,研究者們探索了各種設(shè)計(jì)技術(shù),如多腔設(shè)計(jì)并聯(lián)結(jié)構(gòu)方法,用以提高可靠性和峰值堆成電壓,以開發(fā)高功耗模塊和功率模塊?研究者們還嘗試開發(fā)500V和650V的單芯片mosfet結(jié)構(gòu),為更多電力驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了技術(shù)支持?
展望
今后,Sic MOSFET的研究將注重以下方面:
(1)提高設(shè)計(jì)的可靠性,包括增加自流返電流,有效控制回流晶體管,降低可見妄想;
(2)提高峰值拓?fù)潆妷?主要是以雙極拓?fù)鋵?shí)現(xiàn);
(3)精細(xì)化制備技術(shù),尤其是交叉開口中空MOSFET結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)高峰值堆成電壓,高性能;
(4)開發(fā)高功率模塊,主要針對(duì)電機(jī)和新能源驅(qū)動(dòng)系統(tǒng);
(5)開發(fā)更高壓的MOSFET,滿足電力應(yīng)用中更高額定電壓的需求;
(6)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),以提高驅(qū)動(dòng)能力;
(7)改善MOSFET的熔斷性能,以實(shí)現(xiàn)可靠的斷路保護(hù);
(8)進(jìn)步安全性能,以確保用戶安全?總之,深入地探討相關(guān)的研究,可為電力應(yīng)用開發(fā)更先進(jìn)的MOSFET提供有效技術(shù)支持?(君芯-MOS)
