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BZT52C30S,長(zhǎng)電,穩(wěn)壓二極管

屬性名稱(chēng)	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-BZT52C2V4S-C43
產(chǎn)品類(lèi)別	穩(wěn)壓二極管
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱(chēng)

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-BZT52C2V4S-C43

產(chǎn)品類(lèi)別

穩(wěn)壓二極管

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽(yáng)能電池板和太陽(yáng)能系統(tǒng)。例如，在太陽(yáng)能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過(guò)大或過(guò)壓，從而保護(hù)太陽(yáng)能電池元件。在太陽(yáng)能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過(guò)程。

P溝道增強(qiáng)型VDS和CGS計(jì)算方式在P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計(jì)算VDS時(shí)，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些區(qū)別？氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求如下：

SiC MOSFET和Si IGBT驅(qū)動(dòng)電路差異對(duì)比 SiC MOSFET與Si IGBT都是電子產(chǎn)品發(fā)展不可或缺的產(chǎn)品，SiC MOSFET與Si IGBT有很多的共同特性也有差異，那么下面就對(duì)其產(chǎn)品的差異進(jìn)行一下對(duì)比：

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過(guò)程對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計(jì)，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

SiC MOSFET 比 Si MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì) SiC MOSFETs（碳化硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）與Si MOSFETs（硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）相比，有許多優(yōu)勢(shì)，具體優(yōu)勢(shì)如下：

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產(chǎn)品編號(hào)： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號(hào)：	DZ-ZDZ12930V030V902CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	BZT52C30S
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-BZT52C2V4S-C43
產(chǎn)品類(lèi)型：	穩(wěn)壓二極管
產(chǎn)品編碼：	BZT52C30S
齊納電壓（VZ) ：	30V
功率耗散(PD) ：	200mW
正向壓降（VF) ：	0.9V
封裝：	SOD-323
說(shuō)明：	穩(wěn)壓二極管 ,BZT52C30S ,30V ,200mW ,0.9V ,SOD323

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BZT52C30S,長(zhǎng)電,穩(wěn)壓二極管

BZT52C30S

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