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BAS70WS,長電,肖特基二極管

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產品系列	長電-肖特基二極管
產品類別	肖特基二極管
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產品系列

長電-肖特基二極管

產品類別

肖特基二極管

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	BAS70WS_SOD-323

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BAS70WS_SOD-323

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碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設計與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設計和制造流程。

碳化硅(SiC)二極管是什么？如何判斷好壞碳化硅（SiC）二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復電流與電性測試項目Vgs SiC MOSFET的電性測試項目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復電流（Reverse Recovery Current，簡稱Irr）是指在二極管反向恢復過程中，流過二極管的電流。

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SIC MOSFET模塊的優(yōu)勢 mos模塊由CiscoIOS開發(fā)的一個網絡連接網絡服務器，下載較迅速有效地管理網絡服務器資源。mos模塊可以使管理員更便捷的訪問網絡服務器來管理服務器，以及修改服務器的通信參數，修改服務器的業(yè)務腳本，moS 為應用程序的增強提供更多的可能性和靈活性，也解決了傳統(tǒng)的系統(tǒng)管理問題，為系統(tǒng)管理提供了更多的靈活性和靈活性。

高壓SiC MOSFET的發(fā)展趨勢高壓SiC mosfet的研究正在逐步深入，主要集中在高壓SiC mosfet的設計、制備和檢測等方面。近兩年來,Sic Mosfet已經突破了2600V的峰值隧道電壓,晶面絕緣特性高達200MV?cm-1,靜態(tài)性能達到了半橋拓撲中單芯片500A/1700V,并可支持恒定電流和恒定電壓調節(jié)器操作。除此之外，還有針對固體染料太陽能設計的SiC Mosfet，滿足這些應用的需求。

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高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢，例如低導通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應用中有著廣泛的前景，例如電動汽車、電力電子變換器和太陽能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對較慢，可能有以下幾個原因：

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低感SiC 功率模塊介紹低感SiC功率模塊指的是使用硅碳化物（SiC）作為半導體材料的功率模塊，具有較低的電感值。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率模塊相比，低感SiC功率模塊具有更高的開關速度和更低的開關損耗，從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

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產品編號：	DK-K15770V00000260203CJ
制造商產品編號：	BAS70WS
制造商：	長電
系列：	長電-肖特基二極管
產品類型：	肖特基二極管
工作電壓：	70V
壓降(VF) ：	1V
功率耗散：	200mW
封裝：	SOD-323
說明：	肖特基二極管 ,BAS70WS ,VR:70V ,- ,VF:1V ,PD:200mW ,SOD-323

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