SiC MOSFET 的門極閾值電壓(Vth)不同的原因可能有以下幾種:
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材料差異:SiC MOSFET 的門極閾值電壓取決于其主要結構材料的性質,不同的材料可能導致閾值電壓的差異?
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制造差異:不同的制造工藝也可能導致 SiC MOSFET 門極閾值電壓的差異?
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結構差異:SiC MOSFET 的結構設計也可能導致門極閾值電壓的差異,例如在摻雜等工藝中?
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溫度效應:溫度對 SiC MOSFET 門極閾值電壓也有影響,不同的溫度可能導致閾值電壓的差異?
以上原因均可導致 SiC MOSFET 門極閾值電壓的差異,因此在選擇 SiC MOSFET 時,應仔細考慮并選擇適合特定應用的產品?(君芯-MOS)
