CYPRESS MRAM磁性隨機存儲器介紹和作用?
CYPRESS MRAM磁性隨機存儲器介紹和作用?
MRAM(磁阻隨機存取存儲器)是一種非易失性存儲器,用了SRAM的高速讀寫能力和Flash的非易失性,近些年來在存儲器領(lǐng)域備受關(guān)注?CYPRESS作為知名的半導體公司MRAM領(lǐng)域也擁領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品?本文將介紹CYPRESS MRAM?優(yōu)勢和運用?
1?CYPRESS MRAM概述
CYPRESS MRAM是一種基于磁阻效應(yīng)的存儲器,基本存儲單元是磁隧道結(jié)(MTJ)?MTJ由兩個鐵磁層和一個絕緣層組成,當電流通過MTJ時,根據(jù)兩個鐵磁層的磁化方向不同,電阻值會產(chǎn)生變化,從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲?
CYPRESS MRAM主要產(chǎn)品線包含了串行和并行接口,容量從幾Kb到幾Mb不等,可滿足不同運用處景的需求?CYPRESS還提供各種開發(fā)工具和軟件支持,方便用戶進行產(chǎn)品和開發(fā)?
2?CYPRESS MRAM和優(yōu)勢
CYPRESS MRAM相比于以前的存儲器,如SRAM?DRAM和Flash,能夠以下明顯和優(yōu)勢:
非易失性: MRAM斷電后數(shù)據(jù)不會丟失,無需電池備份,可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的永久保存?
高速讀寫: MRAM的讀寫速度與SRAM相當,遠高于Flash,可滿足實時性要求高的運用需求?
低功耗: MRAM在待機狀態(tài)下功耗極低,工作電流也遠低于SRAM和Flash,有助于延長電池續(xù)航時間?
高耐久性: MRAM的讀寫次數(shù)幾近不受限制,不像Flash那樣存在擦寫壽命問題,可提高產(chǎn)品的可靠性和使用壽命?
抗輻射能力強: MRAM對輻射的敏感度低,可用于航空航天?軍事等特殊環(huán)境?
3?CYPRESS MRAM的運用
CYPRESS MRAM憑仗其優(yōu)良的性能和可靠性,被用于各種領(lǐng)域,包含了:
工業(yè)控制: 在工業(yè)自動化?進程控制等領(lǐng)域,MRAM可用于存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序,確保系統(tǒng)在斷電情況下也能正常運行?
汽車電子: 汽車電子化的發(fā)展,對存儲器的需求愈來愈高,MRAM可用于發(fā)動機控制?安全氣囊?文娛系統(tǒng)等方面?
物聯(lián)網(wǎng): 在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,MRAM可用于傳感器節(jié)點?可穿著裝備等,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的收集?存儲和傳輸?
數(shù)據(jù)中心: MRAM可作為緩存或存儲器,提高數(shù)據(jù)中心的性能和效力?
航空航天: MRAM的抗輻射能力強,可用于衛(wèi)星?航天器等裝備?
4?與其他存儲技術(shù)的比較
MRAM與其他非易失性存儲技術(shù)相比,如nvSRAM?FeRAM等,也能夠一定的優(yōu)勢:
與nvSRAM相比: MRAM的功耗更低,讀寫速度更快,且沒有電池壽命的限制?
與FeRAM相比: MRAM的耐久性更好,抗輻射能力更強?
5?
CYPRESS MRAM作為一種新型的非易失性存儲器,能夠高速?低功耗?高耐久性?抗輻射等優(yōu)點工業(yè)控制?汽車電子?物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的運用前景?技術(shù)的不斷進步和本錢的下落,MRAM將會在未來取代部份以前存儲器,成為存儲器市場的重要組成部份? "">
