以下是基于羅姆半導體(ROHM)產品線的系統(tǒng)梳理,從核心技術到應用方案完整呈現(xiàn)其四大產品類別,結合技術創(chuàng)新與市場定位,清晰展現(xiàn)其多元化布局:
一?碳化硅(SiC)產品線(EcoSiC™)
羅姆在SiC領域擁有全鏈條技術優(yōu)勢,產品覆蓋分立器件與模塊化方案,以高耐壓?低損耗特性滿足工業(yè)與汽車高壓需求:
SiC SBD(肖特基勢壘二極管)
創(chuàng)新點:如SCS2xxxNHR系列采用自主封裝設計,引腳爬電距離達5.1mm(普通產品1.3倍),無需灌封樹脂即可用于xEV的400V/800V系統(tǒng)
性能:耐壓650V/1200V,電流覆蓋5A–100A,符合車規(guī)AECQ101標準
SiC MOSFET及模塊
第三代溝槽柵技術(如SCT3系列),導通電阻較前代降50%,搭配4引腳TO247封裝減少35%開關損耗
全SiC功率模塊(如1,200V/600A型號)用于工業(yè)變頻器,比硅基方案損耗降低24%以上
二?氮化鎵(GaN)產品線(EcoGaN™)
聚焦高頻高效場景,通過集成方案推動小型化:
GaN HEMT器件
如GNP2070TDZ(650V耐壓),支持MHz級開關頻率,適用于快充與服務器電源,體積比硅器件減小99%
專用驅動IC
隔離型驅動器BM6GD11BFJLB,CMTI抗擾度達150V/ns,匹配GaN高速開關需求,減少系統(tǒng)誤動作
三?硅基功率器件
覆蓋中低壓市場,以高性價比方案滿足通用需求:
高壓MOSFET(EcoMOS™)
超級結MOSFET(如R60xxVNx系列),600V耐壓+超快恢復特性,適配工業(yè)電機驅動
IGBT(EcoIGBT™)
1,200V IGBT實現(xiàn)超低導通損耗,比競品低24%,用于光伏逆變器及UPS
肖特基二極管(SBD)
RBR系列優(yōu)化VF/IR平衡,VF值降25%,PMDE封裝減小42%占板面積,廣泛用于車載OBC及LED照明
四?電源管理IC(PMIC)及模塊
針對系統(tǒng)級能效與空間優(yōu)化設計:
DCDC轉換器
如BD9ExxxFP4Z系列采用SOT23封裝,安裝面積比傳統(tǒng)SOP封裝減少72%,輕載效率提升顯著,適配PLC?白色家電
功率模塊集成方案
與Apex Microtechnology合作開發(fā)電機驅動模塊(如SA310),采用裸片集成使安裝面積減少67%
核心技術總結(按產品線對比)
下表橫向對比四大產品線,直觀呈現(xiàn)其差異化定位與技術亮點:
| 產品線 | 核心技術 | 代表產品 | 關鍵性能提升 | 典型應用場景 |
| EcoSiC™ | 溝槽柵MOSFET/定制封裝 | SCT3系列, SCS2xxxNHR | 耐壓1700V, 損耗↓50% | 車載OBC, 光伏逆變器 |
| EcoGaN™ | HEMT+隔離驅動集成 | GNP2070TDZ, BM6GD11 | 開關頻率2MHz, 體積↓99% | 服務器電源, 快充適配器 |
| 硅基器件 | 超級結MOS/低VF SBD | RBR二極管, R60xxVNx | VF↓25%, 封裝↓42% | 工業(yè)電機, LED車燈 |
| 電源IC/模塊 | Nano Pulse Control技術 | BD9E系列DCDC, SA110模塊 | 面積↓72%, 輕載效率優(yōu)化 | 冰箱/空調主板, 儲能系統(tǒng) |
羅姆通過材料創(chuàng)新(SiC/GaN)與系統(tǒng)集成(驅動IC+功率模塊)兩條路徑,覆蓋從消費電子到新能源基礎設施的全場景需求,其“Power Eco Family”戰(zhàn)略以能效為核心,持續(xù)推動電力電子系統(tǒng)的高密度化與低碳化演進?
