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屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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三極管（晶體管） ,D882 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 40V ,1500mW ,30000mA ,SOT-223,GR

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碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過程對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些區(qū)別？氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

為什么SiC MOS負(fù)壓高會(huì)影響閥值漂移 SiC MOSFET 被負(fù)壓影響閥值漂移是因?yàn)檫@種器件具有較高的漏電流，這會(huì)導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小，從而影響 MOSFET 的開關(guān)性能。此外，高負(fù)壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進(jìn)入破裂模式，并引發(fā)其他不良影響。

碳化硅(SIC)MOSFET的電路符號(hào) 碳化硅(SiC)MOSFET 的電路符號(hào)與傳統(tǒng)的硅 MOSFET 的符號(hào)類似，只是在符號(hào)上加上了一些特殊的標(biāo)記來表示其特性。

SiC碳化硅MOSFET器件介紹 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

MOSFET vds 振鈴是什么？ VDS 震鈴是指在使用碳化硅 MOSFET 時(shí)，VDS（直流源漏電壓）發(fā)生震蕩的現(xiàn)象。這是由于 MOSFET 的特殊工作原理導(dǎo)致的，因?yàn)?MOSFET 是一種開關(guān)器件，它具有在開啟和關(guān)閉狀態(tài)間變化的能力。

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs SiC MOSFET的電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡(jiǎn)稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過程中，流過二極管的電流。

產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT572P50VC05011101CJS
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	KTA1504
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	PNP
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	50V
基極電壓（?VCBO）? ：	50V
耗散功率：	150mW
封裝：	SOT-23
說明：	三極管（晶體管） ,KTA1504 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,150mA ,SOT-23,ASY

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KTA1504,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

KTA1504

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KTA1504,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

KTA1504

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