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屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	2SC1623_SOT-323

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2SC1623_SOT-323

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選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應用中的效率可以達到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

SiC MOS驅動設計 SiC?mos驅動設計?SiC?mos驅動設計是一個復雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應該考慮以下幾個方面：

總結浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護器為電子設備的電源浪涌防護提供了一種簡便、經(jīng)濟、可靠的防護方法。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設計與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設計和制造流程。

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產(chǎn)品編號：	QT-TQT167N50VC02060302CJ5
制造商產(chǎn)品編號：	2SC1623
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	50V
基極電壓（?VCBO）? ：	60V
耗散功率：	200mW
封裝：	SOT-323
說明：	三極管（晶體管） ,2SC1623 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-323,L5

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2SC1623,長電,三極管（晶體管）

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2SC1623,長電,三極管（晶體管）

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