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屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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規(guī)格書	2PD601AW_SOT-323.pdf

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2SC4180

三極管（晶體管） ,2SC4180 ,NPN ,VCEO:120V ,VCBO: 120V ,150mW ,50mA ,SOT-323,D15

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三極管（晶體管） ,2SC6114 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,100mA ,SOT-923

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2SD1819A

三極管（晶體管） ,2SD1819A ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,ZS

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三極管（晶體管） ,D882 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 40V ,1500mW ,30000mA ,SOT-223,O

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PZTA06

三極管（晶體管） ,PZTA06 ,NPN ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,1000mW ,500mA ,SOT-223

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三極管（晶體管） ,FMMT619 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,350mW ,2000mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,2SD1819A ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,ZQ

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三極管（晶體管） ,MMST2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,200mW ,600mA ,SOT-323

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選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過(guò)壓、開(kāi)關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護(hù)器為電子設(shè)備的電源浪涌防護(hù)提供了一種簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)、可靠的防護(hù)方法。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過(guò)程對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

MOS管損耗計(jì)算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過(guò)計(jì)算其電流損耗和功率損耗來(lái)估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過(guò)電流時(shí)產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過(guò) MOS 管時(shí)與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過(guò)如下公式計(jì)算：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來(lái)幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs SiC MOSFET的電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡(jiǎn)稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過(guò)程中，流過(guò)二極管的電流。

產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT022N50VC02060302CJS
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	2PD601AW
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	50V
基極電壓（?VCBO）? ：	60V
耗散功率：	200mW
封裝：	SOT-323
說(shuō)明：	三極管（晶體管） ,2PD601AW ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-323,6F

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2PD601AW,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

2PD601AW

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2PD601AW,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

2PD601AW

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