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屬性名稱(chēng)	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類(lèi)別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類(lèi)別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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數(shù)字晶體管 ,DTA114YUA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,68 ,SOT-323

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碳化硅(SiC)二極管壓降因素 “碳化硅二極管壓降” 是指碳化硅二極管的電動(dòng)勢(shì)差。碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，具有P-N結(jié)結(jié)構(gòu)，可以用于控制電流或電壓。二極管壓降是指在二極管正向?qū)顟B(tài)下，二極管的P-N結(jié)之間的電動(dòng)勢(shì)差，即正向偏置電壓。這是由于二極管中接觸面的電勢(shì)差導(dǎo)致的。

MOS管比晶體三極管的優(yōu)勢(shì)有哪些？ MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)與晶體管有哪些區(qū)別和優(yōu)勢(shì)，本文詳細(xì)介紹。

MOSFET vds 振鈴是什么？ VDS 震鈴是指在使用碳化硅 MOSFET 時(shí)，VDS（直流源漏電壓）發(fā)生震蕩的現(xiàn)象。這是由于 MOSFET 的特殊工作原理導(dǎo)致的，因?yàn)?MOSFET 是一種開(kāi)關(guān)器件，它具有在開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài)間變化的能力。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

SiC MOSFET和Si IGBT驅(qū)動(dòng)電路差異對(duì)比 SiC MOSFET與Si IGBT都是電子產(chǎn)品發(fā)展不可或缺的產(chǎn)品，SiC MOSFET與Si IGBT有很多的共同特性也有差異，那么下面就對(duì)其產(chǎn)品的差異進(jìn)行一下對(duì)比：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計(jì)，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化 SiC?MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些區(qū)別？氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽(yáng)能電池板和太陽(yáng)能系統(tǒng)。例如，在太陽(yáng)能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過(guò)大或過(guò)壓，從而保護(hù)太陽(yáng)能電池元件。在太陽(yáng)能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過(guò)程。

產(chǎn)品編號(hào)：	QD-DD117N11A704CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	DTC123JM
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類(lèi)型：	數(shù)字晶體管
極性：	NPN
耗散功率(PD) ：	100MW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-723
說(shuō)明：	數(shù)字晶體管 ,DTC123JM ,NPN ,100mW ,100mA ,50V ,80 ,SOT-723

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DTC123JM,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

DTC123JM

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