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M7002NND03,長電,MOSFETS

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-MOS管
產(chǎn)品類別	MOSFETS
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-MOS管

產(chǎn)品類別

MOSFETS

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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光伏逆變器為什么用碳化硅(SiC)器件？于光伏逆變器需要將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，并輸出給水泵等負(fù)載供電，因此需要使用能夠承受高電壓、高頻和高溫的器件。SiC器件具有這些特點(diǎn)，因此在光伏逆變器中使用SiC器件是可能的，但具體是否使用需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行綜合考慮。

碳化硅陶瓷（SiC Ceramic）的特性與應(yīng)用場(chǎng)景碳化硅陶瓷（SiC Ceramic）是一種高性能材料，具有高強(qiáng)度、高硬度、高溫度穩(wěn)定性、優(yōu)異的耐腐蝕性和低熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、航空、國防、核能和化學(xué)工業(yè)等領(lǐng)域。

MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路(灌流電路) MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路(灌流電路)。MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。

SiC MOSFET 比 Si MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì) SiC MOSFETs（碳化硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）與Si MOSFETs（硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管）相比，有許多優(yōu)勢(shì)，具體優(yōu)勢(shì)如下：

碳化硅(SiC)功率器件需要配合下拉電阻使用碳化硅（SiC）下拉電阻通常是指在SiC功率器件中用于控制器件關(guān)閉速度的電阻。在SiC功率器件中，由于其高速開關(guān)特性和較高的峰值電壓，當(dāng)控制器件關(guān)閉時(shí)會(huì)產(chǎn)生高峰值電流，這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備失效或產(chǎn)生電磁干擾。因此，在SiC功率器件中，需要通過使用下拉電阻來降低關(guān)閉過程中的電流峰值，以保護(hù)設(shè)備并減少電磁干擾。

碳化硅(SiC)二極管的使用方法使用碳化硅二極管時(shí)，需要注意一些安全因素，如避免過大的電流流經(jīng)二極管，以防損壞。在使用過程中，還需要注意電路設(shè)計(jì)和二極管的選擇，以確保系統(tǒng)的最佳性能。

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長。

低感SiC 功率模塊介紹低感SiC功率模塊指的是使用硅碳化物（SiC）作為半導(dǎo)體材料的功率模塊，具有較低的電感值。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率模塊相比，低感SiC功率模塊具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

碳化硅(SiC)二極管的測(cè)試與檢測(cè)方法碳化硅（SiC）二極管具有較低的開關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測(cè)方法：

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產(chǎn)品編號(hào)：	MOS-MNM0090W15M0160V04CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	M7002NND03
制造商：	長電
系列：	長電-MOS
產(chǎn)品類型：	MOSFETS
類型：	N-ch
功率(PD) ：	0.15W
電流（ID) ：	0.115A
電壓（V) ：	60V
封裝：	WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)
說明：	MOS ,N-ch ,M7002NND03 ,0.15W ,0.115A ,60V ,WBFBP-03B

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M7002NND03,長電,MOSFETS

M7002NND03

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