Cascode SiC MOSFET相對(duì)于普通SiC MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損失?這是由于Cascode SiC MOSFET結(jié)構(gòu)將兩個(gè)MOSFET級(jí)聯(lián),其中一個(gè)通常是低壓側(cè)的Si MOSFET,另一個(gè)是高壓側(cè)的SiC MOSFET?這樣的結(jié)構(gòu)使得Si MOSFET承擔(dān)了較大部分的開(kāi)關(guān)功耗和過(guò)渡損耗,而SiC MOSFET則承擔(dān)了更大的電壓負(fù)載,從而有效地提高了整個(gè)器件的開(kāi)關(guān)速度和效率?

Cascode SiC(碳化硅共源共柵)結(jié)構(gòu)在某些情況下可能會(huì)比普通 SiC 器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度?

Cascode 結(jié)構(gòu)結(jié)合了 Si(硅)MOSFET 和 SiC 器件的特點(diǎn),通過(guò)優(yōu)化的設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)方式,有可能實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻?更快的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換和更低的開(kāi)關(guān)損耗?

然而,其速度優(yōu)勢(shì)并非絕對(duì),還受到多種因素的影響,如具體的電路設(shè)計(jì)?驅(qū)動(dòng)電路性能?散熱條件以及器件的參數(shù)和質(zhì)量等?

在實(shí)際應(yīng)用中,需要綜合考慮各種因素來(lái)評(píng)估 Cascode SiC 和普通 SiC 器件的性能表現(xiàn)?(長(zhǎng)電-MOS)