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2SC2859,長電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計發(fā)貨日期 2025-12-07

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

2SC4177

三極管（晶體管） ,2SC4177 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,L4

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BC847T

三極管（晶體管） ,BC847T ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,150mW ,100mA ,SOT-523,1E

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BC858

三極管（晶體管） ,BC858 ,PNP ,VCEO:30V ,VCBO: 30V ,200mW ,100mA ,SOT-23,3L

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MMST3904

三極管（晶體管） ,MMST3904 ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 60V ,200mW ,200mA ,SOT-323

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MMBT5401

三極管（晶體管） ,MMBT5401 ,PNP ,VCEO:150V ,VCBO: 160V ,300mW ,600mA ,SOT-23

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BC847W

三極管（晶體管） ,BC847W ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,150mW ,100mA ,SOT-323,1E

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三極管（晶體管） ,BC857W ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,150mW ,100mA ,SOT-323,3F

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三極管（晶體管） ,STD123S ,NPN ,VCEO:15V ,VCBO: 20V ,350mW ,1000mA ,SOT-23

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三極管（晶體管） ,2SC4617 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,150mA ,SOT-523,BR

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三極管（晶體管） ,PZTA56 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,1000mW ,500mA ,SOT-223

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三極管（晶體管） ,MMSTA56 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,200mW ,500mA ,SOT-323

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MMBTA44

三極管（晶體管） ,MMBTA44 ,NPN ,VCEO:400V ,VCBO: 500V ,350mW ,200mA ,SOT-23

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產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

SiC MOS驅(qū)動設(shè)計 SiC?mos驅(qū)動設(shè)計?SiC?mos驅(qū)動設(shè)計是一個復(fù)雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個方面：

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護器為電子設(shè)備的電源浪涌防護提供了一種簡便、經(jīng)濟、可靠的防護方法。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計和制造流程。

MOS管損耗計算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過計算其電流損耗和功率損耗來估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過電流時產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過 MOS 管時與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過如下公式計算：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。

SiC芯片制造的主要6個環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長，集成電路設(shè)計與制作，晶片測試，整合。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個方面：

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場的不斷擴大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測試項目Vgs SiC MOSFET的電性測試項目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過程中，流過二極管的電流。

產(chǎn)品推薦 廠商動態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品編號： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號：	QT-TQT209N30VC06010501CJW
制造商產(chǎn)品編號：	2SC2859
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	30V
基極電壓（?VCBO）? ：	35V
耗散功率：	150mW
封裝：	SOT-23
說明：	三極管（晶體管） ,2SC2859 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,150mW ,500mA ,SOT-23,WO

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2SC2859,長電,三極管（晶體管）

2SC2859

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