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2SA2029,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	2SA2029_SOT-723

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2SA2029_SOT-723

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

BC848

三極管（晶體管） ,BC848 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 30V ,200mW ,100mA ,SOT-23,1L

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MMBT5401

三極管（晶體管） ,MMBT5401 ,PNP ,VCEO:150V ,VCBO: 160V ,300mW ,600mA ,SOT-23

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2SA812

三極管（晶體管） ,2SA812 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-23,M6

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2SD596

三極管（晶體管） ,2SD596 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,700mA ,SOT-23,1

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PZTA92

三極管（晶體管） ,PZTA92 ,PNP ,VCEO:300V ,VCBO: 300V ,1000mW ,200mA ,SOT-223

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PZT2907A

三極管（晶體管） ,PZT2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,1000mW ,600mA ,SOT-223

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M28S

三極管（晶體管） ,M28S ,NPN ,VCEO:20V ,VCBO: 40V ,200mW ,1000mA ,SOT-23

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MMBT2222A

三極管（晶體管） ,MMBT2222A ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 75V ,300mW ,600mA ,SOT-23

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SS8550

三極管（晶體管） ,SS8550 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 40V ,200mW ,1500mA ,SOT-323

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2SD596

三極管（晶體管） ,2SD596 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,700mA ,SOT-23,DV3

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MMBT2222AT

三極管（晶體管） ,MMBT2222AT ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 75V ,150mW ,600mA ,SOT-523

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MMST2907A

三極管（晶體管） ,MMST2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,200mW ,600mA ,SOT-323

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三極管（晶體管） ,2SC3437 ,NPN ,VCEO:15V ,VCBO: 40V ,150mW ,200mA ,SOT-23,CHO

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三極管（晶體管） ,BCP56 ,NPN ,VCEO:80V ,VCBO: 100V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,16

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三極管（晶體管） ,2SC4618 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 40V ,150mW ,50mA ,SOT-523,AQ

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2SC4102

三極管（晶體管） ,2SC4102 ,NPN ,VCEO:120V ,VCBO: 120V ,200mW ,50mA ,SOT-323,TS

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S9014

三極管（晶體管） ,S9014 ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 50V ,200mW ,100mA ,SOT-23

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BCP55

三極管（晶體管） ,BCP55 ,NPN ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,10

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2SC4097

三極管（晶體管） ,2SC4097 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,CQ

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PZT3904

三極管（晶體管） ,PZT3904 ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 60V ,1000mW ,200mA ,SOT-223

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

總結(jié)浪涌抑制都有哪些措施？產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護(hù)器為電子設(shè)備的電源浪涌防護(hù)提供了一種簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)、可靠的防護(hù)方法。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過程對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

MOS管損耗計(jì)算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過計(jì)算其電流損耗和功率損耗來估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過電流時(shí)產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過 MOS 管時(shí)與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過如下公式計(jì)算：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs SiC MOSFET的電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡(jiǎn)稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過程中，流過二極管的電流。

產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品編號(hào)： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT083P50VC02011104CJQ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	2SA2029
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	PNP
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	50V
基極電壓（?VCBO）? ：	60V
耗散功率：	150mW
封裝：	SOT-723
說明：	三極管（晶體管） ,2SA2029 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,150mA ,SOT-723,FQ

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2SA2029,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

2SA2029

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2SA2029,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

2SA2029

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