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屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計(jì)發(fā)貨日期 2025-12-14

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

DTC143TE

數(shù)字晶體管 ,DTC143TE ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-523

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數(shù)字晶體管 ,DTA144EUA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,68 ,SOT-323

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數(shù)字晶體管 ,DTC123JSA ,NPN ,300mW ,100mA ,50V ,80 ,TO-92S

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數(shù)字晶體管 ,DTA123YE ,PNP ,150mW ,100mA ,50V ,33 ,SOT-523

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DTA124ESA

數(shù)字晶體管 ,DTA124ESA ,PNP ,300mW ,100mA ,50V ,56 ,TO-92S

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TSC123JNND03

數(shù)字晶體管 ,TSC123JNND03 ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,80 ,WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)

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DTC143XE

數(shù)字晶體管 ,DTC143XE ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,30 ,SOT-523

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

P溝道增強(qiáng)型VDS和CGS計(jì)算方式在P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計(jì)算VDS時(shí)，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來(lái)幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。

SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求如下：

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

碳化硅(SiC)二極管的應(yīng)用碳化硅MOSFET模塊在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。

高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低導(dǎo)通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應(yīng)用中有著廣泛的前景，例如電動(dòng)汽車、電力電子變換器和太陽(yáng)能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對(duì)較慢，可能有以下幾個(gè)原因：

碳化硅(SiC)二極管的使用方法使用碳化硅二極管時(shí)，需要注意一些安全因素，如避免過(guò)大的電流流經(jīng)二極管，以防損壞。在使用過(guò)程中，還需要注意電路設(shè)計(jì)和二極管的選擇，以確保系統(tǒng)的最佳性能。

碳化硅(SiC)二極管的測(cè)試與檢測(cè)方法碳化硅（SiC）二極管具有較低的開(kāi)關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測(cè)方法：

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化 SiC?MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

產(chǎn)品編號(hào)：	QD-DD084N21A403CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	DTC113ZE
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	數(shù)字晶體管
極性：	NPN
耗散功率(PD) ：	150MW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-523
說(shuō)明：	數(shù)字晶體管 ,DTC113ZE ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,33 ,SOT-523

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DTC113ZE,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

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