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CJPF10N60,長電,MOSFETS

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-MOS管
產(chǎn)品類別	MOSFETS
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-MOS管

產(chǎn)品類別

MOSFETS

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配碳化硅(SiC)解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構(gòu)和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負(fù)實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術(shù)的問世，現(xiàn)今的SiC解決方案使設(shè)計人員能夠讓這些系統(tǒng)以最少的能源消耗產(chǎn)生最大的生產(chǎn)力。

為什么SiC MOS負(fù)壓高會影響閥值漂移 SiC MOSFET 被負(fù)壓影響閥值漂移是因為這種器件具有較高的漏電流，這會導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小，從而影響 MOSFET 的開關(guān)性能。此外，高負(fù)壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進入破裂模式，并引發(fā)其他不良影響。

SiC芯片制造的主要6個環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長，集成電路設(shè)計與制作，晶片測試，整合。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計與制造過程對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計和制造流程。

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MOS管損耗計算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過計算其電流損耗和功率損耗來估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過電流時產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過 MOS 管時與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過如下公式計算：

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產(chǎn)品編號：	MOS-MNM1172W00M4060017CJ
制造商產(chǎn)品編號：	CJPF10N60
制造商：	長電
系列：	長電-MOS
產(chǎn)品類型：	MOSFETS
類型：	N-ch
功率(PD) ：	2W
電流（ID) ：	10A
電壓（V) ：	600V
封裝：	TO-220F
說明：	MOS ,N-ch ,CJPF10N60 ,2W ,10A ,600V ,TO-220F

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